三星研发首款10纳米第三代高性能DDR4 DRAM
据外媒sammobile3月21日报道，三星公司已经研发了第三代10纳米 8Gb DDR4 DRAM，这是一款业界首创的产品。新的10纳米 DDR4是业界最小的内存处理节点。与之前的1y-nm版本相比，它的制造效率提高了20%以上，并将以超高的性能和功率效率推动DRAM解决方案的极限。此外，第3代DDR4产品没有使用极端紫外线(EUV)处理。
三星预计，10纳米 DDR4将为下一代DRAM接口(如DDR5、LPDDR5和GDDR6)的推出铺平道路。
三星DRAM产品和技术执行副总裁Jung-bae Lee说：“我们致力于突破技术领域的最大挑战，这一直推动着我们去创新。我们很高兴再次为下一代DRAM的稳定生产打下了基础，确保了最高的性能和能源效率。”(实习编译：宋秋宇 审稿：李宗泽)
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